商品名稱:LMG3410R150RWHR
數(shù)據(jù)手冊:LMG3410R150RWHR.pdf
品牌:TI
年份:21+
封裝:VQFN32
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:2000 件
LMG341xR150 GaN 功率級具有集成驅(qū)動(dòng)器和保護(hù)功能,可讓設(shè)計(jì)人員在電力電子系統(tǒng)中實(shí)現(xiàn)更高水平的功率密度和效率。LMG341x 的固有優(yōu)勢超越硅 MOSFET,包括超低輸入和輸出電容值、可將開關(guān)損耗降低 80% 的零反向恢復(fù)以及可降低 EMI 的低開關(guān)節(jié)點(diǎn)振鈴。這些優(yōu)勢支持諸如圖騰柱 PFC 之類的密集高效拓?fù)洹?/p>
LMG341xR150 通過集成一系列獨(dú)特的 特性 提供了傳統(tǒng)共源共柵 GaN 和獨(dú)立 GaN FET 的智能替代產(chǎn)品,以簡化設(shè)計(jì)、最大限度地提高可靠性并優(yōu)化任何電源的性能。集成式柵極驅(qū)動(dòng)器支持 100V/ns 開關(guān)(Vds 振鈴幾乎為零),低于 100ns 的限流可自行防止意外擊穿事件,過熱關(guān)斷可防止熱逃逸,而且系統(tǒng)接口信號可提供自監(jiān)控功能。
特性
?TI GaN 工藝通過了實(shí)際應(yīng)用硬開關(guān)任務(wù)剖面可靠性加速測試
?支持高密度電源轉(zhuǎn)換設(shè)計(jì)
與共源共柵或獨(dú)立 GaN FET 相比具有卓越的系統(tǒng)性能
低電感 8mm x 8mm QFN 封裝簡化了設(shè)計(jì)和布局
可調(diào)節(jié)驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度確保開關(guān)性能和 EMI 控制
數(shù)字故障狀態(tài)輸出信號
僅需 +12V 非穩(wěn)壓電源
?集成柵極驅(qū)動(dòng)器
零共源電感
20ns 傳播延遲確保 MHz 級工作頻率
工藝經(jīng)過調(diào)整的柵極偏置電壓確保可靠性
25V/ns 至 100V/ns 的用戶可調(diào)節(jié)壓擺率
逐周期過流保護(hù)
?強(qiáng)大的保護(hù)
無需外部保護(hù)組件
過流保護(hù),響應(yīng)時(shí)間低于 100ns
壓擺率抗擾性高于 150V/ns
瞬態(tài)過壓抗擾度
過熱保護(hù)
針對所有電源軌的 UVLO 保護(hù)
?器件選項(xiàng):
LMG3410R150:鎖存過流保護(hù)
LMG3411R150:逐周期過流保護(hù)
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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德州儀器(Texas Instruments),簡稱TI,是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司,為現(xiàn)實(shí)世界的信號處理提供創(chuàng)新的數(shù)字信號處理(DSP)及模擬器件技術(shù)。除半導(dǎo)體業(yè)務(wù)外,還提供包括傳感與控制、教育產(chǎn)品和數(shù)字光源處理解決方案。TI總部位于美國德克薩斯州的達(dá)拉斯,并在25多個(gè)國家設(shè)有制造…
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DP83TC811SWRNDRQ1低功耗汽車PHYTER 100BASE-T1以太網(wǎng)物理層收發(fā)器通過屏蔽單雙絞線提供傳輸和接收數(shù)據(jù)所需的物理層功能。該器件通過支持標(biāo)準(zhǔn)MII、RMII、RGMII和SGMII MAC接口實(shí)現(xiàn)xMII靈活性。配套診斷工具套件通過各種實(shí)時(shí)監(jiān)控工具集成調(diào)試工具和測試模式。該套件包含一…LM5022MM
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