商品名稱:碳化硅 MOSFET 晶體管
品牌:INFINEON
年份:24+
封裝:PG-TO263-7
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:2000 件
AIMBG75R040M1H CoolSiC? MOSFET 750V 是一款高度堅固的 SiC MOSFET 晶體管,可實現(xiàn)最佳的系統(tǒng)性能和可靠性。它在性能、可靠性和堅固性方面都具有優(yōu)勢,而且具有柵極驅(qū)動靈活性,從而簡化了系統(tǒng)設計,提高了成本效益,實現(xiàn)了最高的效率和功率密度。
特點
高度穩(wěn)健的 750 V 技術(shù)
同類最佳的 RDS(on) x Qfr
出色的 Ron x Qoss 和 Ron x QG
低 Crss/Ciss 和高 Vgsth
100% 經(jīng)過雪崩測試
.XT 互連技術(shù),具有同類最佳的散熱性能
優(yōu)勢
出色的硬開關(guān)效率
實現(xiàn)更高的開關(guān)頻率
可靠性更高
可承受超過 500 V 的總線電壓
對寄生匝的穩(wěn)健性
單極驅(qū)動
應用
用于電動汽車的高壓 DC-DC 轉(zhuǎn)換器
電動汽車車載電池充電器 (OBC)
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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BTS3410G 是英飛凌推出的智能低側(cè)功率開關(guān),采用 HITFET 技術(shù) 和 N溝道垂直功率MOSFET 設計,適用于 12V DC 電源系統(tǒng)中的電阻性、感性和容性負載開關(guān)控制。BSP613P
BSP613P 是英飛凌 SIPMOS 系列的 P 溝道增強型小信號 MOSFET,采用溝槽(Trench)工藝制造,專為 60 V 中壓、2.9 A 級別的負載開關(guān)、反向極性保護及高側(cè)驅(qū)動而設計。S29GL01GT10FHI010
S29GL01GT10FHI010 是 一款 1Gb(128M 8 位)并行 NOR Flash 存儲器,采用 64-FBGA(1311mm) 封裝。BSC059N04LS6
BSC059N04LS6 采用英飛凌第六代 OptiMOS? 工藝,在 5 mm 6 mm 的 TDSON-8 表面貼裝封裝內(nèi)實現(xiàn)極低導通電阻與低柵極電荷,專為高效率 DC-DC 降壓、同步整流及電機驅(qū)動而優(yōu)化。IPLU300N04S4-R8
IPLU300N04S4-R8 基于英飛凌 OptiMOS? 5 技術(shù),專為高電流、高密度汽車應用而設計。電話咨詢:86-755-83294757
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