IMZC120R078M2H CoolSiC? 1200 V SiC MOSFET G2:采用 .XT 互聯(lián)技術的碳化硅 MOSFET
CoolSiC? MOSFET 分立器件 1200 V、78 mΩ G2 采用 TO-247 4 引腳高爬電封裝,在第 1 代技術優(yōu)勢的基礎上進行了重大改進,為成本優(yōu)化、高效、緊湊、易于設計和可靠的系統(tǒng)提供了先進的解決方案。它為所有常見的 AC-DC、DC-DC 和 DC-AC 級組合提供了更好的硬開關操作和軟開關拓撲。
特點(IMZC120R078M2H)
Tvj = 25°C 時,VDSS = 1200 V
TC = 100°C 時 IDDC = 20 A
在 VGS = 18 V、Tvj = 25°C 時,RDS(on)= 78 mΩ
開關損耗極低
過載工作溫度可達 Tvj = 200°C
短路耐受時間 2 μs
基準柵極閾值電壓 VGS(th) = 4.2 V
可防止寄生導通,可采用 0 V 關斷柵極電壓
堅固的體二極管可實現(xiàn)硬換向
采用 .XT 互連技術,具有同類最佳的散熱性能
優(yōu)勢(IMZC120R078M2H)
能效更高
冷卻優(yōu)化
功率密度更高
新的堅固性功能
高度可靠
易于并聯(lián)
潛在應用(IMZC120R078M2H)
通用驅動器 (GPD)
電動汽車充電
在線 UPS/工業(yè) UPS
太陽能優(yōu)化器
組串逆變器
儲能系統(tǒng) (ESS)
焊接
型號
品牌
封裝
數量
描述
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