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這款STL135N8F7AG N 溝道功率 MOSFET 采用 STripFET? F7 技術,具有增強型溝槽柵極結構,導通電阻極低,同時還能降低內部電容和柵極電荷,從而實現更快、更高效的開關。
STL135N8F7AG 特性
專為汽車應用和通過 AEC-Q101 認證
是市場上 RDS(導通)最低的器件之一
極佳的 FoM(優(yōu)點系數)
抗電磁干擾的低 Crss/Ciss 比率
高雪崩堅固性
可潤濕側面封裝
STL135N8F7AG 技術參數
FET 類型: N 通道
技術: MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss): 80 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id) :130A(Tc)
驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 時導通電阻(最大值): 3.6 毫歐 @ 13A,10V
不同 Id 時 Vgs(th)(最大值): 4.5V @ 250μA
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)(最大值): 103 nC @ 10 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值):6800 pF @ 40 V
功率耗散(最大值): 4.8W(Ta),135W(Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C(TJ)
等級: 汽車級
資質: AEC-Q101
安裝類型: 表面貼裝,可潤濕側翼
供應商器件封裝: PowerFlat?(5x6)
封裝/外殼: 8-PowerVDFN
STL135N8F7AG 應用
開關應用
型號
品牌
封裝
數量
描述
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