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臺(tái)積電:2nm芯片將首次使用GAA技術(shù)于2025年投產(chǎn)

臺(tái)積電:2nm芯片將首次使用GAA技術(shù)于2025年投產(chǎn)

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臺(tái)積電預(yù)測(cè),HPC(高性能計(jì)算)將是其今年增長(zhǎng)最快的領(lǐng)域。上一季度HPC產(chǎn)生了41%的收入,僅比智能手機(jī)產(chǎn)生的40%略高。物聯(lián)網(wǎng)和汽車(chē)排在第三和第四位,分別創(chuàng)造了8%和5%的收入。

4月18日,第一季度財(cái)報(bào)電話(huà)會(huì)議上,臺(tái)積電報(bào)告稱(chēng)正全力以赴地開(kāi)發(fā)下一代工藝節(jié)點(diǎn)。這家半導(dǎo)體巨頭計(jì)劃在今年晚些時(shí)候?qū)⑼懂a(chǎn)首批 3 納米工藝,并在 2025 年底前做好 2 納米工藝的準(zhǔn)備。 


據(jù)悉,在 N2 上臺(tái)積電首次使用 GAA FET(全環(huán)繞柵極晶體管),逐漸取代 finFET (鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管)。三星已經(jīng)開(kāi)始使用他們版本的GAA,英特爾計(jì)劃在2024年實(shí)施他們的版本。


2022下半年,臺(tái)積電將把N3工藝投入生產(chǎn)。一年后,或者可能更早,它將準(zhǔn)備將N3E工藝投入生產(chǎn),這是N3的"增強(qiáng)性能、功率和產(chǎn)量"版本。


臺(tái)積電預(yù)測(cè),HPC(高性能計(jì)算)將是其今年增長(zhǎng)最快的領(lǐng)域。上一季度HPC產(chǎn)生了41%的收入,僅比智能手機(jī)產(chǎn)生的40%略高。物聯(lián)網(wǎng)和汽車(chē)排在第三和第四位,分別創(chuàng)造了8%和5%的收入。


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