商品名稱:IXTH24N50L
數據手冊:IXTH24N50L.pdf
品牌:IXYS
年份:23+
封裝:TO-247-3
貨期:全新原裝
庫存數量:5000 件
IXTH24N50L 是N通道增強模式功率MOSFET,設計用于線性操作,采用國際標準封裝。該線性功率MOSFET具有擴展FBSOA,具有氮化鋁隔離的miniBLOC,高功率密度,節(jié)省空間且易于安裝的封裝,以及符合UL94 V-0可燃性分類的成型環(huán)氧樹脂。
該MOSFET可用于可編程負載,電流調節(jié)器,DC-DC轉換器,電池充電器,DC斬波器以及溫度和照明控制等應用。
規(guī)格
FET類型:N 通道
技術:MOSFET(金屬氧化物)
漏源極電壓(Vdss):500 V
電流-連續(xù)漏極(Id)(25°C時):24 A (Tc)
驅動電壓:20V
不同 Id,Vgs時的 Rds On:300毫歐 @ 500mA、20V
不同Id時的Vgs(th):5V @ 250μA
不同Vgs時的柵極電荷(Qg):160 nC @ 20 V
Vgs (最大值):±30V
不同Vds時的輸入電容(Ciss):2500 pF @ 25 V
FET 功能:-
功率:400W (Tc)
工作溫度:-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TO-247 (IXTH)
供應商器件封裝:TO-247-3
基本產品編號:IXTH24
型號
品牌
封裝
數量
描述
ST
PowerFLAT? 5x6
15000
汽車級N溝道80 V、3.15 mOhm典型值、130 A STripFET F7功率MOSFET,PowerFLAT 5x6封裝
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IXYS(中文名: 艾賽斯)總部位于美國硅谷,1983年成立,主營:MOSFET、IGBT、 Thyristor、SCR、整流橋、二極管、DCB塊、功率模塊、Hybrid、晶體管、逆變器、射頻模塊和單片機等。業(yè)務分布于消費、汽車、醫(yī)療、電信、工業(yè)和能源領域,產品技術特點為高壓、高功率,涵蓋了…
IXTY02N120P-TRL
IXTY02N120P-TRL是 IXYS 推出的一款 N 溝道 MOSFET,采用 TO-252-3(DPAK)封裝,適用于高壓開關、電源管理及工業(yè)控制等應用。該IXFH60N65X2-4
IXFH60N65X2-4 是 IXYS推出的 N溝道功率MOSFET,屬于 HiPerFET? X2-Class 系列,采用 TO-247-4L 封裝,適用于高頻開關電源、電機驅動及工業(yè)逆變器 等應用。DLA60I1200HA
DLA60I1200HA 是 IXYS 推出的一款 1200V/60A 通用整流器,采用 TO-247-2(TO-247AD) 封裝,適用于高功率整流、工業(yè)電源、電機驅動等應用。IXFH60N50P3
IXFH60N50P3是一款 N溝道功率MOSFET,屬于 HiPerFET? Polar3? 系列,專為高功率開關應用設計。IXGH28N60B3D1
IXGH28N60B3D1絕緣柵雙極晶體管(IGBT) 提供高達150 kHz的開關能力,電流范圍為66A。高開關速度和低傳導損耗的結合為電源設計人員提供了一種新的高價值開關應用選擇。該產品具有以下主要參數:IGBT 類型:PT電壓 - 集射極擊穿(最大值):600 V電流 - 集電極 (Ic)(最大值…IXXK100N60B3H1
IXXK100N60B3H1是一款IGBT(絕緣柵雙極型晶體管),主要用于10-30kHz的開關應用。該產品具有以下主要參數:IGBT 類型:PT電壓 - 集射極擊穿(最大值):600 V電流 - 集電極 (Ic)(最大值):200 A電流 - 集電極脈沖 (Icm):440 A不同 Vge、Ic 時 Vce(on)(最大值):1.8V…電話咨詢:86-755-83294757
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